铠侠宣布扩建横滨科技园并新建研究中心,加强研究和技术开发并促进开放创新

来源: 编辑: 发布: 2021-05-18 13:58

东京--(美国商业资讯)--全球存储器解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布投资200亿日元,用于扩建其横滨科技园的技术开发大厦,并建立新的新子安高级研究中心(Shin-Koyasu Advanced Research Center)。新设施预计将于2023年投入运营,将通过集中铠侠在神奈川县的研发基地来加强公司的研究和技术开发,以提升效率,并通过合作创造更有利于创新的工作环境。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210512006128/en/

在横滨科技园,扩建后的技术开发大厦将使现有设施的空间增加近一倍,使铠侠能够扩大其产品评估能力,进而提高产品质量。扩建后的设施还将为规模壮大的员工队伍提供空间,以加强未来的产品开发。新大厦将采用环保设计和高效节能设备。

新子安高级研究中心将设洁净室,用于广泛研究,特别是侧重于材料和新工艺研究。

通过投资这些设施,铠侠旨在加强其闪存和固态硬盘(SSD)技术开发能力,以满足全球日益增长的需求,并打造能够创造新价值的创新型内存技术和产品。

以“存储”助力世界发展为使命的铠侠专注于开创存储器的新时代。铠侠始终致力于通过资本投资和反映市场趋势的研发,提高其在内存和固态硬盘行业的地位。

横滨科技园技术开发大厦(暂定名)

地址:Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
建筑规模:6层
总建筑面积:约4万平米  
计划开工时间:2021年秋季
计划竣工时间:2023年夏季

新子安高级研究中心(暂定名)

地址:Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture
建筑规模:4层
总建筑面积:约1.3万平米
计划运营时间:2023年夏季

关于铠侠

铠侠(Kioxia)是存储器解决方案的全球领导者,致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝于1987年发明了NAND闪存,2017年4月,铠侠前身东芝存储器(Toshiba Memory)从东芝剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统,为客户创造选择,为社会创造基于存储器的价值,从而通过存储技术助力世界发展。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心。

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210512006128/en/

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联系方式:

Kota Yamaji
公共关系
铠侠控股株式会社
81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

横滨科技园技术开发大厦效果图(图示:美国商业资讯)

新子安高级研究中心效果图(图示:美国商业资讯)

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