韩国华城--(美国商业资讯)--韩国真空炉开发企业ThermVac发布消息称，该公司于去年10月交付给中国某企业化学气相沉积（TaC CVD）设备已经完成调试工作，并开始生产镀膜产品。
ThermVac交付的TaC CVD设备可在最高温度2400度下，使TaCl5粉末蒸气与CH4气体发生反应，并将合成的TaC成分以薄膜形式沉积到石墨产品表面。该设备由真空炉主机、供电装置、真空排气装置、工艺气体控制装置、尾气处理湿式洗涤集尘装置（Scrubber）和动力供给装置组成。
通过该设备生产的TaC镀膜石墨产品为超过2000度的高温工艺中所使用的产品，例如SiC单晶生长所需的坩埚等。在超过2000度的超高温下，镀膜也不会受损，防止石墨产生的碳尘污染。
2011年，ThermVac在韩国政府的技术开发支持项目中执行了SiC CVD Pilot设备国产化开发课题，在陶瓷CVD设备行业迈出了第一步。在两年的课题开发期内，获得了CVD设备的要素技术，成功完成课题开发。随着金属有机化学气相沉积法（MOCVD）的石墨承载盘（Susceptor）等SiC镀膜产品的需求不断增加，THERMVAC与海外CVD设备企业展开激烈竞争，向韩国国内市场提供各种CVD设备。
ThermVac向韩国陶瓷技术院和国防科技院提供用于研发的SiC、HfC、TaC CVD装置，并向全南高科园公用设备室、KNJ、S公司、大洋产业、DACC Carbon、日本碳素公司的韩国法人T公司等企业提供用于生产的SiC CVD、TaC CVD和Pyro Carbon CVI。
ThermVac继2017年向中国某公司出口了产品装载空间为1200Φ*1800H ㎜的大型SiC CVD设备以来，再次出口TaC CVD设备，积极瞄准中国市场。
ThermVac计划以公司所拥有的2400度超高温Pilot CVD设备为依托，积累陶瓷CVD工艺技术，并与欧美和日本的领先CVD企业展开竞争，向包括材料零部件的巨大市场中国和日本在内的全球市场扩大出口CVD设备。
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